Introduction to ME
- scale of itegration
- Moore’s Law
the number of transistors in a dense IC doubles about every two years - process size
the size in nm is the gate length of the transistor- gate length measure transistor speed and density
- types of signals
- continuous & discrete
- continuous : defined for all time
- discrete : defined on discrete time
- analog & digital
- analog: continuous in value, not necessary in time
- digital: discrete in value, but can be continuous in time
- A/D
- continuous & discrete
- signal processor
- Filter
- Amplifier
- Materials for microelectronics
- Conductor:金属,硅化金属
- Insulator: 非金属
- Semiconductor: Si, Ge
- 对导电性的解释
电子按照能级排布在不同的电子层- Valence band:电子分布所能达到的最高能级层
- Conduction band: 空的电子层中的最低能级层
- Band Gap: 从valence band 到 conduction band 所需的能量
- Fermi level: 电子受能量激发会向更高能级跃迁,
- At absolute zero,
- the surface of electron sea where no electrons will have enough energy to rise above the surface
band gap 决定了不同材料导电性的不同
- Compound Semiconductor
3,5族或2,4族混合构成,典型的是GaN(有相对较大的band gap)- 两种混合称为binary,三种混合称为ternary
- 与单独的Si相比,更快,更强,还能发光,检测光的效率也比Si强,但他不会代替Si, 只会辅助Si
- 半导体Si从哪儿来
- 沙子主要成分是SiO2
- 先用C烧
- 再用HCl过一遍
- 得到比较高纯度的Si,形态是圆柱体,我们称为ingot(高纯度单晶硅)
- Silicon的种类
按照硅原子的排列划分- Amorphous: 非晶,只在少量原子/分子尺度有序
- Crystalline: 单晶,整个一块硅晶体构成的材料
- Polycrystalline: 多晶,在很多原子/分子尺度高度有序
- Doping
- 我们会有意地掺杂一些杂物进材料,这个过程叫Doping, 这些杂物叫Dopants
- Si 的最外层有4个电子,因此使用不同的dopants会带来不同的效果
- N & P type dopants
- N-type: 最外层5个电子,形成电子对后会多出一个能自由活动的电子
- P, As (group V)
- P-tyoe: 最外层3个电子,形成电子对后会多出一个能自由活动的空穴
- B (group III)
- N-type: 最外层5个电子,形成电子对后会多出一个能自由活动的电子
- N & P type dopants
- PN-junction(控制电流单向导通的器件,在应用中我们称为diode)
我们把doping得到的p-type semiconductor和n-type semiconductor拼接在一起会由于两者的性质而在交界处具有特殊性质- 自然状态的PN-junction(zero-bias)
我们考虑会发生什么样的变化,这时候电子的移动受两个力影响(站在空穴视角同理)- Diffusion: driven by concentration gradients
- Drift: driven by electric field
接下来从接通到动态平衡会经历以下几步 - 受diffusion影响电子从N跑向P
- 形成电场阻碍diffusion
- 形成动态平衡,no net flux
这时我们把中间电子移动动态平衡的这段区域叫Depletion Region(因为电子跑到最后能量会耗尽)
把产生的电势叫做Built-in potential
- 平衡方程:
- 能级对齐
当两块材料正常情况连接在一起时,他们的fermi level应该是对齐的,但当PN-junction形成时- P型材料交接处的fermi-level下降了,由于concentration gradients使电子更愿意呆在原地,而N型材料的fermi level则相应地上升了,两个加起来形成的总差距就是由于concentration gradients造成的,出于动态平衡的知识也就等于电势能
- 使用时控制电流导通的PN-junction
- forward bias: 让电流能导通
- 由能级图可知两个导带之间的距离导致电子不能正常的通过,如果我现在加一个电压来对抗甚至逆转由于fermi-level对齐产生的能量差,即P接正极,这样缩小了电场范围(Depletion Region)电子甚至可以导通产生电流(从P到N的电流)
- reverse bias: 相反不能导通,但会有一点及其微弱的电流
- forward bias: 让电流能导通
- Application of PN-junction
- LED(Light emitted diodes)
- Rectifier
- 自然状态的PN-junction(zero-bias)
- BJT(Bipolar Junction Transistor应用中我们称为三极管)
顾名思义,我们可以把两个PN组合起来形成一个BJT- 分类
根据PN结的排布方式我们分为两种- npn & pnp 简要示意图的箭头代表PN结的方向(P指向N)
- Mode of operations
观察我们想要得到的电流输出电流Ic分类- 两结都零偏或反偏(cutoff mode)
电路中几乎没有任何电流 - 发射结正偏,接受结反偏(active mode)
- amplifier
- 两结都正偏(saturation mode)
- 两结都零偏或反偏(cutoff mode)
- 分类
- MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
use voltage on gate(可以把gate看作一个capacitor) 来控制Source和Drain间(我们把两者之间称为channel, 本质上是控制resistance of channel)电流的导通- 根据FET的工作原理,我们把他分成几类
- n-channel & p-channel
- n-channel为NPN型,目的是利用gate把electons吸引到两个N之间使之导通
- p-channel为PNP型,目的是利用gate把holes吸引到两个P之间使之导通 箭头指向为导通时电子移动方向
- enhancement-mode & depletion-mode
- enhancement-mode为chennel正常情况下关闭,通过加电压来使channel打开
- depletion-mode为channel正常情况下打开,通过加电压来使channel关闭
- n-channel & p-channel
- 工作原理
- MOS capacitor 改变metal的电压可以调制电阻,Oxide基本上阻断了电子直接被metal吸走,只会让电子远离channel取或者聚集在channel区域以实现channel的导通
- 正常情况下PNjunction产生的built-in barrier阻断了沟道的导通
- 根据FET的工作原理,我们把他分成几类
- Amplifier
- amount of amplifier
- gain 常用decibels(dB)计量,我们把一个数以10为底的对数值称为他的bel值bel(B),dB代表十分之一B. 由于对数以1为界取正负,故dB值如果为正,说明实现了gain,如果为负,则说明实现了loss
- amplifier power supply
- 毫无疑问amplifier的工作也需要能量,而且一部分能量也会以热能的形式耗散,我们把额外需要的能量称为DC sources supply,有能量耗散自然也就存在能量效率,因此我们定义$$Amplifier\ efficiency=\frac{P_{out}}{P_{in}}$$
- ideal amplifier
好的放大器是啥样的呢- have same gain over time or over space(input signal, frequency, temperature, etc)
- not introduce noise
- Operational Amplifier(Op Amp)
- amount of amplifier
- signal operating and processing
- signal generation
- DC (direct current) to AC(alternating current)
- signal waveforms
- sine wave
- impulse
- step
- Filter
- A/D converter & D/A converter
- sampling
- quantize
以多少v为一个阶梯代表一个bit呢?
n bit 能代表$2^n$ 个binary level
- communication system
- basic signal operations
- addition
- subtraction
- shift
- scaling
- signal generation
- Memory
- categories of memory
- RAM
- SRAM
- DRAM
- ROM
- summary
- mode of operations of BJT
- MOSFET
- op amp
- filter
- D/A converter
- Title: Introduction to ME
- Author: HEMU LIU
- Created at : 2024-10-11 15:40:22
- Updated at : 2024-10-11 16:01:35
- Link: https://matrixhackin.github.io/2024/10/11/Introduction-to-ME/
- License: This work is licensed under CC BY-NC-SA 4.0.
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